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RN1114MFV(TPL3)

RN1114MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1114MFV(TPL3)
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RN1114MFV(TPL3) Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - Pre-polarizzati
RoHS:
N
Polarità del transistor:
NPN
Resistenza di ingresso tipica:
1 kOhms
Rapporto resistore tipico:
0.1
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Guadagno base/collettore DC hfe min:
50
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Corrente continua del collettore:
100 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
150 mW
Temperatura di esercizio minima:
- 65 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
RN1114MFV
Confezione:
Bobina
Collettore-tensione di base VCBO:
50 V
Emettitore-tensione di base VEBO:
5 V
Altezza:
1.2 mm
Lunghezza:
1.2 mm
Intervallo operativo di temperatura:
- 65 C to + 150 C
Tipo:
Transistor epitassiale al silicio NPN
Larghezza:
0.5 mm
Marca:
Toshiba
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati
Quantità confezione di fabbrica:
8000
sottocategoria:
transistor
Tags
RN1114M, RN1114, RN111, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
50V 100MA 3P 1.KOHMS X110KOHM
***et
X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF)
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
2.2KOHMS X 10KOHMS
***ca Corp
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
***nell
DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: 0.1(Ratio); RF Transistor Case: SOT-723; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTC043Z Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
*** Stop Electro
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
***nell
DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resis
***ure Electronics
DTC143E Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - VMT-3
***ark
Trans Digital Bjt Npn 100Ma 3-Pin Vmt T/r Rohs Compliant: Yes
***nell
TRANSISTOR,NPN,50V,0.1A,VMT3; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 4.7kohm; Resis
***et
X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF)
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
50V 100MA 3P 10K X 4.7K0HMS
***ark
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-723; Transistor Polarity:NPN; Collecto
***(Formerly Allied Electronics)
Transistor PNP 50V 2.2K 2.2K SSSMini3-F2 | Panasonic Electronic Components DRC3123E0L
***er Electronics
SC,TRANSISTOR WITH BUILT-IN RESISTORS / NPN SINGLE, FOR DIGITAL CIRCUITS, VCEO:50V, IC:100MA
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
RN1114MFV(TPL3)
DISTI # 757-RN1114MFV(TPL3)		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
RoHS: Not compliant		0
    RN1114MFV(TPL3)
    DISTI # 580115    		Toshiba America Electronic ComponentsTR.+VIASRES. NPN VCEO=50V IC=100MA VESM, PK150
    • 50:£0.0820
    • 200:£0.0270
    • 500:£0.0270
    • 1000:£0.0260
    • 2000:£0.0250
    Immagine Parte # Descrizione
    RN1114MFV,L3F

    Mfr.#: RN1114MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-L3F

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
    RN1114MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1114MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-TPL3-

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
    RN1114MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1114MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-TPL3--123

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
    RN1114MFVL3F-ND

    Mfr.#: RN1114MFVL3F-ND

    OMO.#: OMO-RN1114MFVL3F-ND-1190

    		 Nuovo e originale
    RN1114MFV

    Mfr.#: RN1114MFV

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-1190

    		 Nuovo e originale
    RN1114MFV,L3F

    Mfr.#: RN1114MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-L3F-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

    		 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    1500
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di RN1114MFV(TPL3) è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    0,30 USD
    0,30 USD
    10
    0,20 USD
    1,95 USD
    100
    0,08 USD
    8,20 USD
    1000
    0,06 USD
    56,00 USD
    2500
    0,04 USD
    105,00 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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