STD4N52K3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

525 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.95 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

3 V

Qg - Carica cancello:

14 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

70 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Bobina

Serie:

STD4N52K3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

SuperMesh3 Power MOSFET

Marca:

STMicroelectronics

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STD4N5, STD4N, STD4, STD