STI13NM60N

STI13NM60N
Mfr. #:
STI13NM60N
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
STI13NM60N Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
STI13NM60N maggiori informazioni STI13NM60N Product Details
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
STMicroelectronics
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-262-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
600 V
Id - Corrente di scarico continua:
11 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
360 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
25 V
Qg - Carica cancello:
30 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
90 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Nome depositato:
MDmesh
Confezione:
Tubo
Serie:
STI13NM60N
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Marca:
STMicroelectronics
Tempo di caduta:
10 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
8 ns
Quantità confezione di fabbrica:
1000
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
30 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
3 ns
Unità di peso:
0.050717 oz
Tags
STI13N, STI13, STI1, STI
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Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 600 V 360 mOhm MDmesh™ II Power Mosfet - I2PAK
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
***ied Electronics & Automation
MOSFET N-Channel 650V 11A I2PAK
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
***ark
MOSFET, N CH, 600V, 11A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, N CH, 600V, 11A, I2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
***nell
MOSFET, CANALE N, 600V, 11A, I2PAK; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.28ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di Potenza Pd:90W; Modello Case Transistor:TO-262; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
STI13NM60N
DISTI # V36:1790_06560883
STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
RoHS: Compliant
0
  • 1000:$0.7044
STI13NM60N
DISTI # 497-12258-ND
STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.9207
STI13NM60N
DISTI # STI13NM60N
STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube (Alt: STI13NM60N)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
Europe - 800
  • 500:€1.3900
  • 1000:€1.3900
  • 25:€1.4900
  • 50:€1.4900
  • 100:€1.4900
  • 10:€1.5900
  • 1:€1.9900
STI13NM60N
DISTI # STI13NM60N
STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube - Rail/Tube (Alt: STI13NM60N)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube
Americas - 0
  • 10000:$0.7719
  • 6000:$0.7879
  • 4000:$0.8239
  • 2000:$0.8629
  • 1000:$0.9059
STI13NM60N
DISTI # 511-STI13NM60N
STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
RoHS: Compliant
1000
  • 1:$1.7700
  • 10:$1.5100
  • 100:$1.2000
  • 500:$1.0500
  • 1000:$0.8760
  • 2500:$0.8160
  • 5000:$0.7860
  • 10000:$0.7550
STI13NM60N
DISTI # XSKDRABS0029687
STMicroelectronics 
RoHS: Compliant
650 in Stock0 on Order
  • 650:$1.8500
  • 350:$1.9900
Immagine Parte # Descrizione
FZT958TA

Mfr.#: FZT958TA

OMO.#: OMO-FZT958TA

Bipolar Transistors - BJT PNP HighCt HighV
DF13EA-20DP-1.25V(51)

Mfr.#: DF13EA-20DP-1.25V(51)

OMO.#: OMO-DF13EA-20DP-1-25V-51--HIROSE

Nuovo e originale
FZT958TA

Mfr.#: FZT958TA

OMO.#: OMO-FZT958TA-DIODES

Bipolar Transistors - BJT PNP HighCt HighV
Disponibilità
Azione:
990
Su ordine:
2973
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