DN2470K4-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

700 V

Id - Corrente di scarico continua:

170 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

42 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

6.1 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Tempo di caduta:

60 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

45 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

DN24, DN2