IXTA10P15T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

3 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

350 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Qg - Carica cancello:

36 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

83 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Tags

IXTA10P, IXTA10, IXTA1, IXTA, IXT