OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Ciao, accediIl mio account
0 Carrello

SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7788DP-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI7788DP-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Single
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
SI7788DP-GE3
Unità di peso
0.017870 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
SO-8
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Singola Quad Scarico Tripla Sorgente
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
5.2 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
18 ns
Ora di alzarsi
21 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
29.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
3.1 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
45 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
44 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI7788, SI778, SI77, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL R
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:50000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0041ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:5.2W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI7788DP-T1-GE3
DISTI # SI7788DP-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI7788DP-T1-GE3
    DISTI # SI7788DP-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI7788DP-T1-GE3
      DISTI # SI7788DP-T1-GE3TR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape & Reel (TR)      		Temporarily Out of Stock
      • 3000:$1.3811
      SI7788DP-T1-GE3
      DISTI # SI7788DP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7788DP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Reel      		Americas - 0
      • 3000:$1.2900
      • 6000:$1.2900
      • 12000:$1.1900
      • 18000:$1.1900
      • 30000:$1.0900
      SI7788DP-T1-GE3
      DISTI # 781-SI7788DP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
      RoHS: Compliant      		4298
      • 1:$2.8900
      • 10:$2.4000
      • 100:$1.8600
      • 500:$1.6300
      • 1000:$1.5600
      • 3000:$1.5500
      SI7788DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10VAmericas -
        SI7788DP-T1-GE3
        DISTI # 2478982        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL R
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:£1.2300
        • 6000:£1.2000
        SI7788DP-T1-GE3
        DISTI # 2478982        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL REEL
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:$5.1000
        • 6000:$3.9100
        • 12000:$3.1400
        Immagine Parte # Descrizione
        SI7788DP-T1-GE3

        Mfr.#: SI7788DP-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-GE3

        		 MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
        SI7788DP-T1-GE3

        Mfr.#: SI7788DP-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-GE3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
        SI7788DP

        Mfr.#: SI7788DP

        OMO.#: OMO-SI7788DP-1190

        		 Nuovo e originale
        SI7788DP-T1-E3

        Mfr.#: SI7788DP-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-E3-1190

        		 Nuovo e originale
        Disponibilità
        Azione:
        Available
        Su ordine:
        3000
        Inserisci la quantità:
        Il prezzo attuale di SI7788DP-T1-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
        Prezzo di riferimento (USD)
        Quantità
        Prezzo unitario
        est. Prezzo
        1
        1,64 USD
        1,64 USD
        10
        1,55 USD
        15,53 USD
        100
        1,47 USD
        147,15 USD
        500
        1,39 USD
        694,90 USD
        1000
        1,31 USD
        1 308,00 USD
        A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
        Iniziare con
        Top