IXTA32N20T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

32 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

78 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

38 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

9.65 mm

Serie:

IXTA32N20

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza da trincea

Larghezza:

10.41 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

31 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

18 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXTA32, IXTA3, IXTA, IXT