CMRDM3575 TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-963

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

160 mA, 140 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.5 Ohms, 4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV, 1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

458 pC, 500 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

ATTOmini

Confezione:

Bobina

Serie:

CMRDM

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore centrale

Transconduttanza diretta - Min:

1.3 S, 140 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

85 ns, 100 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns, 35 ns

Parte # Alias:

CMRDM3575 PBFREE TR

Tags

CMRDM3, CMRDM, CMRD, CMR