IXZ2210N50L2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Doppio canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Potenza di uscita:

270 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SMD-8

Confezione:

Tubo

Frequenza operativa:

2 MHz to 110 MHz

Serie:

IXZ221

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

3.1 S

Numero di canali:

2 Channel

Pd - Dissipazione di potenza:

270 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Tags

IXZ2, IXZ