STP12NM50N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

290 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.15 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Serie:

STP12NM50N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

8 S

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Unità di peso:

0.011640 oz

Tags

STP12NM5, STP12NM, STP12N, STP12, STP1, STP