IXTA76N25T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

76 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

42 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

92 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

460 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

Trincea

Confezione:

Tubo

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

9.65 mm

Serie:

IXTA76N25

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza da trincea

Larghezza:

10.41 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

43 S

Tempo di caduta:

29 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

56 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

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