MJL0281AG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

260 V

Collettore-tensione di base VCBO:

260 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

26.4 mm (Max)

Lunghezza:

20.3 mm (Max)

Larghezza:

5.3 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

75

Pd - Dissipazione di potenza:

180000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.352740 oz

Tags

MJL02, MJL0, MJL