2N6517TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3 Kinked Lead

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

350 V

Collettore-tensione di base VCBO:

350 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

200 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N6517

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200

Altezza:

4.7 mm

Lunghezza:

4.7 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

3.93 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N6517TA_NL

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

2N6517, 2N651, 2N65, 2N6