IMB9AT110

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Dual

Polarità del transistor:

PNP

Resistenza di ingresso tipica:

10 kOhms

Rapporto resistore tipico:

4.7

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Guadagno base/collettore DC hfe min:

68

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Corrente continua del collettore:

- 70 mA

Corrente di picco del collettore CC:

- 100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IMB9A

Confezione:

Bobina

Guadagno di corrente CC hFE Max:

68

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

IMB9AT, IMB9A, IMB9, IMB