PHE13007,127

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

WeEn Semiconduttori

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220AB-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

700 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.51 V

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

40

Altezza:

9.4 mm

Lunghezza:

10.3 mm

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

WeEn Semiconduttori

Guadagno base/collettore DC hfe min:

5

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

934055555127

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

PHE13007, PHE1, PHE