MRF372R3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

17 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

68 V

Guadagno:

17 dB

Potenza di uscita:

180 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-860C3-5

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Altezza:

5.69 mm

Lunghezza:

34.16 mm

Frequenza operativa:

0.47 GHz to 0.86 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

10.31 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

350 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Unità di peso:

0.223087 oz

Tags

MRF372, MRF37, MRF3, MRF