NTY100N10

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

123 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

313 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.4 mm

Lunghezza:

20.3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.3 mm

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

250 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

150 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

340 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Tags

NTY100, NTY1, NTY