TIP30B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

700 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

TIP30

Guadagno di corrente CC hFE Max:

75

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

30 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

PBFREE TIP30B

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

TIP30B, TIP30, TIP3, TIP