FCD2250N80Z

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.25 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

14 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

39 W

Nome depositato:

SuperFET II

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.39 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

FCD2250N80Z

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

2.28 S

Tempo di caduta:

8.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

FCD22, FCD2, FCD