IRGS4B60KD1TRRP

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.1 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

11 A

Pd - Dissipazione di potenza:

63 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

RC

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.57 mm

Lunghezza:

10.31 mm

Larghezza:

9.45 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

TRENCHSTOP

Parte # Alias:

SP001534000

Unità di peso:

0.009185 oz

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