DF300R12KE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

N

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.7 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

300 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

1470 W

Pacchetto/custodia:

IS5a ( 62 mm )-5

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

30.9 mm

Lunghezza:

106.4 mm

Larghezza:

61.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

DF300R12KE3HOSA1 SP000100742

Tags

DF300R1, DF300, DF30, DF3