SI2323DS-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

39 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

19 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.45 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

SI2

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

16 S

Tempo di caduta:

48 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

43 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

71 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Parte # Alias:

SI2323DS-GE3

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

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