NTB4302T4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

74 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.3 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

40 S

Tempo di caduta:

35 ns, 30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

22 ns, 70 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns, 32 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 18 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NTB43, NTB4, NTB