ISS55EP06LMXTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 60 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 0.16 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

- 0.59 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.4 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

ISS06P011

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

0.28 S

Tempo di caduta:

1.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

4.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1 ns

Parte # Alias:

ISS55EP06LM SP004987278

Tags

ISS5, ISS