IPD068N10N3GBTMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

68 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

XPD068N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

54 S

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

37 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

37 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Parte # Alias:

G IPD068N10N3 IPD068N10N3GXT SP000469892

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IPD068N10N3G, IPD068N, IPD068, IPD06, IPD0, IPD