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SIZ790DT-T1-GE3

SIZ790DT-T1-GE3
Mfr. #:
SIZ790DT-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
IGBT Transistors MOSFET 30V 16A / 35A Dual N-Ch MOSFET
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SIZ790DT-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
SkyFETR, TrenchFETR
Confezione
Imballaggio alternativo Digi-ReelR
Alias ​​parziali
SIZ790DT-GE3
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
6-PowerPair
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
6-PowerPair
Configurazione
Doppio con diodo Schottky
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Potenza-Max
27W, 48W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
30V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
830pF @ 15V
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
16A, 35A
Rds-On-Max-Id-Vgs
9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
24nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
3.9 W 4.6 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
7 ns 10 ns
Ora di alzarsi
15 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
12.9 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
7.5 mOhms 3.8 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Transconduttanza diretta-Min
48 S 85 S
Tags
SIZ7, SiZ
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 12.9A/23.4A 6-Pin PowerPAIR T/R
***ment14 APAC
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 16A, POWERPAIR-6
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
***
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S)
***ark
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 16A, POWERPAIR-6; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:27W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:6; Continuous Drain Current Id, N Channel:16A ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SIZ790DT-T1-GE3
DISTI # SIZ790DT-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		680In Stock
  • 500:$0.8718
  • 100:$1.1242
  • 10:$1.4220
  • 1:$1.6100
SIZ790DT-T1-GE3
DISTI # SIZ790DT-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.6237
SIZ790DT-T1-GE3
DISTI # SIZ790DT-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Limited Supply - Call
    SIZ790DT-T1-GE3
    DISTI # 40X8694    		Vishay IntertechnologiesDual MOSFET, Dual N Channel + Schottky, 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1.1 V RoHS Compliant: Yes0
      SIZ790DT-T1-GE3
      DISTI # 781-SIZ790DT-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
      RoHS: Compliant      		1768
      • 1:$1.4200
      • 10:$1.1700
      • 100:$0.8960
      • 500:$0.7700
      • 1000:$0.6750
      SIZ790DT-T1-GE3Vishay Intertechnologies 2334
        SIZ790DT-T1-GE3
        DISTI # 2400402        		Vishay IntertechnologiesMOSFET, 2 N CH+SCHOTTKY, 30V, POWERPAIR8
        RoHS: Compliant        		702
        • 1:$2.2500
        • 10:$1.8500
        • 100:$1.4200
        • 500:$1.2200
        • 1000:$1.0800
        • 3000:$1.0800
        SIZ790DT-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
        RoHS: Compliant        		Americas -
        • 3000:$0.6030
        • 6000:$0.5700
        • 12000:$0.5520
        • 24000:$0.5440
        SIZ790DT-T1-GE3
        DISTI # 2400402        		Vishay IntertechnologiesMOSFET, 2 N CH+SCHOTTKY, 30V, POWERPAIR8
        RoHS: Compliant        		817
        • 5:£0.4900
        • 25:£0.4430
        • 100:£0.3390
        • 250:£0.3160
        • 500:£0.2920
        Immagine Parte # Descrizione
        SIZ790DT-T1-GE3

        Mfr.#: SIZ790DT-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIZ790DT-T1-GE3

        		 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
        SIZ790DT-T1-GE3

        Mfr.#: SIZ790DT-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIZ790DT-T1-GE3-VISHAY

        		 IGBT Transistors MOSFET 30V 16A / 35A Dual N-Ch MOSFET
        Disponibilità
        Azione:
        Available
        Su ordine:
        4000
        Inserisci la quantità:
        Il prezzo attuale di SIZ790DT-T1-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
        Prezzo di riferimento (USD)
        Quantità
        Prezzo unitario
        est. Prezzo
        1
        0,82 USD
        0,82 USD
        10
        0,78 USD
        7,75 USD
        100
        0,73 USD
        73,44 USD
        500
        0,69 USD
        346,80 USD
        1000
        0,65 USD
        652,80 USD
        A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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