SGL50N60RUFDTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

80 A

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

SGL50N60RUFD

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

80 A

Altezza:

26 mm

Lunghezza:

20 mm

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

80 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

375

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SGL50N60RUFDTU_NL

Unità di peso:

0.238311 oz

Tags

SGL50N60RUFD, SGL50N60R, SGL50N, SGL50, SGL5, SGL