BGA7H1BN6E6327XTSA1

BGA7H1BN6E6327XTSA1
Mfr. #:
BGA7H1BN6E6327XTSA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
RF Amplifier RF SILICON MMIC
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
BGA7H1BN6E6327XTSA1 Scheda dati
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ECAD Model:
Maggiori informazioni:
BGA7H1BN6E6327XTSA1 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
Amplificatore RF
RoHS:
Y
Confezione:
Bobina
Marca:
Tecnologie Infineon
Tipologia di prodotto:
Amplificatore RF
Quantità confezione di fabbrica:
15000
sottocategoria:
Circuiti integrati wireless e RF
Parte # Alias:
7H1BN6 BGA E6327 SP001402778
Tags
BGA7H1B, BGA7H, BGA7, BGA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***et Europe
RF SILICON MMIC Low Noise Amplifier (LNA) > LTE / 3G LNAs
***ical
Low Noise Amplifier MMICs for mobile cellular systems: UMTS, HSPA/+ and LTE
***ineon
BGA7H1BN6 is a front-end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 1805 MHz to 2690 Mhz and operates from1.5 V to 3.3 V supply voltage. The device features a single-line two-state control (Bypass- and High gain-Mode) and OFF-state can be enabled by powering down Vcc | Summary of Features: Insertion power gain: 12.3 dB; Low noise figure: 0.85 dB; Low current consumption: 4.3 mA; Insertion loss in bypass mode: -3.1 dB; Operating frequencies: 1805 - 2690 MHz; Two-state control: Bypass- and high gain-mode; Supply voltage: 1.5 V to 3.6 V; Digital on/off switch (1V logic high level); Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2); B7HF Silicon Germanium technology; RF output internally matched to 50 ; Only 1 external SMD component necessary; Pb-free (RoHS compliant) package | Target Applications: LNA for LTE reception in smart phones, feature phones, tablet PCs and RF front-end modules.
RF Solutions
Infineon RF Solutions provide RF products for numerous applications with high-performance, cost-effective devices. RF solutions include transistors, low-noise amplifiers, GPS/GLONASS/COMPASS LNA, switches, modules and tuners.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
BGA7H1BN6E6327XTSA1
DISTI # BGA7H1BN6E6327XTSA1-ND
Infineon Technologies AGIC RF AMP LTE 1.805GHZ-2.69GHZ
RoHS: Compliant
Min Qty: 15000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 15000:$0.2145
BGA7H1BN6E6327XTSA1
DISTI # BGA7H1BN6E6327XTSA1
Infineon Technologies AGRF SILICON MMIC Low Noise Amplifier (LNA) > LTE / 3G LNAs - Tape and Reel (Alt: BGA7H1BN6E6327XTSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 15000
Container: Reel
Americas - 0
  • 150000:$0.2089
  • 90000:$0.2129
  • 60000:$0.2199
  • 30000:$0.2289
  • 15000:$0.2369
BGA7H1BN6E6327XTSA1
DISTI # 726-BGA7H1BN6E6327XT
Infineon Technologies AGRF Amplifier RF SILICON MMIC
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.6200
  • 10:$0.5120
  • 100:$0.3300
  • 1000:$0.2640
  • 2500:$0.2230
  • 10000:$0.2150
  • 15000:$0.2070
Immagine Parte # Descrizione
BGA7H1BN6E6327XTSA1

Mfr.#: BGA7H1BN6E6327XTSA1

OMO.#: OMO-BGA7H1BN6E6327XTSA1

RF Amplifier RF SILICON MMIC
BGA7H1BN6E6327

Mfr.#: BGA7H1BN6E6327

OMO.#: OMO-BGA7H1BN6E6327-INFINEON-TECHNOLOGIES

Nuovo e originale
BGA7H1BN6E6327XTSA1INFIN

Mfr.#: BGA7H1BN6E6327XTSA1INFIN

OMO.#: OMO-BGA7H1BN6E6327XTSA1INFIN-INFINEON-TECHNOLOGIES

Nuovo e originale
BGA7H1BN6E6327XTSA1

Mfr.#: BGA7H1BN6E6327XTSA1

OMO.#: OMO-BGA7H1BN6E6327XTSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

IC RF AMP LTE 1.805GHZ-2.69GHZ
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1
0,62 USD
0,62 USD
10
0,51 USD
5,12 USD
100
0,33 USD
33,00 USD
1000
0,26 USD
264,00 USD
2500
0,22 USD
557,50 USD
10000
0,22 USD
2 150,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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