IPL65R725CFDAUMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSON-4

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

725 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

20 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

62.5 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

CoolMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

8 mm

Serie:

CoolMOS CFDA

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

8 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

IPL65R725CFD SP000949266

Tags

IPL65R, IPL65, IPL6, IPL