DN1509K1-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

90 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

3.5 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

490 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.45 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

0.000222 oz

Tags

DN1509, DN150, DN15, DN1