PBSS4230PANP,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-2020-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

60 mV, - 75 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz, 95 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

380, 370

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250, 260

Pd - Dissipazione di potenza:

1450 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

PBSS4230PANP, PBSS4230P, PBSS423, PBSS42, PBSS4, PBSS, PBS