CPH6635-TL-H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-26-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

400 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

280 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1.58 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Serie:

CPH6635

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

0.22 S

Tempo di caduta:

120 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

65 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

155 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

CPH663, CPH66, CPH6, CPH