STI8N65M5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

560 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

15 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

70 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Serie:

STI8N65M5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Unità di peso:

0.050717 oz

Tags

STI8, STI