NTMJS2D5N06CLTWG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

31 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

24 nC, 52 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

113 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1-N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

286 S

Tempo di caduta:

8.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

55 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

37 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Tags

NTMJ, NTM