IPP111N15N3 G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

83 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

55 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

214 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.65 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

47 S

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Parte # Alias:

IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IPP111N15N3G, IPP111, IPP11, IPP1, IPP