DMJ7N70SK3-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

700 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.9 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

13.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

28 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerDI

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.5 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

DMJ7, DMJ