TPW2R508NH,L1Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DSOP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Id - Corrente di scarico continua:

170 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

72 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

142 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

TPW2R508NH

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

56 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Tags

TPW2R, TPW2, TPW