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IXGT45N120

IXGT45N120
Mfr. #:
IXGT45N120
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
IGBT Transistors 75 Amps 1200V 3.5 Rds
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXGT45N120 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXGT45N120 Datasheet
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
IXYS
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Pacchetto/custodia:
TO-268-3
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Configurazione:
Separare
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
1200 V
Tensione massima dell'emettitore di gate:
20 V
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
IXGT45N120
Confezione:
Tubo
Corrente continua del collettore Ic Max:
75 A
Altezza:
5.1 mm
Lunghezza:
16.05 mm
Larghezza:
14 mm
Marca:
IXYS
Tipologia di prodotto:
Transistor IGBT
Quantità confezione di fabbrica:
30
sottocategoria:
IGBT
Unità di peso:
0.158733 oz
Tags
IXGT4, IXGT, IXG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
IGBT 1200V 75A 300W TO268
***ure Electronics
APT25GR120 Series 1200 V 75 A 521 W Field Stop - Trench Gate IGBT - TO-268-3
***et
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 3-Pin D3PAK
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
***ure Electronics
APT25GR120Sx Series 1200 V 75 A Surface Mount Ultra Fast NPT IGBT® - D3PAK
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
***ure Electronics
APT25GR120Sx Series 1200 V 75 A Surface Mount Ultra Fast NPT IGBT® - D3PAK
***i-Key
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 85000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
***ark
Xpt Igbt Copack, 1200V, 20A, To-268Aa
***nell
IGBT,1200V,20A,TO-268AA; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.1V; Power Dissipation Pd: 85W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-268AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017); Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Max: 85W; Transistor Type: IGBT
***ark
IGBT Single Transistor, 9 A, 1.8 V, 45 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 9A, TO-268AA
***nell
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 9A, TO-268AA; DC Collector Current: 9A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: 45W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-268AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 125°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
IGBT 600V 75A 540W TO268
***el Nordic
Contact for details
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXGT45N120
DISTI # IXGT45N120-ND		IXYS CorporationIGBT 1200V 75A 300W TO268
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$8.1150
IXGT45N120
DISTI # 747-IXGT45N120		IXYS CorporationIGBT Transistors 75 Amps 1200V 3.5 Rds
RoHS: Compliant		0
    Immagine Parte # Descrizione
    IXGT40N120B2D1

    Mfr.#: IXGT40N120B2D1

    OMO.#: OMO-IXGT40N120B2D1

    		 IGBT Transistors 75 Amps 1200V 3.5 V Rds
    IXGT45N120

    Mfr.#: IXGT45N120

    OMO.#: OMO-IXGT45N120

    		 IGBT Transistors 75 Amps 1200V 3.5 Rds
    IXGT40N120A2

    Mfr.#: IXGT40N120A2

    OMO.#: OMO-IXGT40N120A2-1190

    		 Nuovo e originale
    IXGT40N60C2

    Mfr.#: IXGT40N60C2

    OMO.#: OMO-IXGT40N60C2-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 75A 300W TO268
    IXGT40N60B2

    Mfr.#: IXGT40N60B2

    OMO.#: OMO-IXGT40N60B2-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 75A 300W TO268
    IXGT40N60B2D1

    Mfr.#: IXGT40N60B2D1

    OMO.#: OMO-IXGT40N60B2D1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 75A 300W TO268
    IXGT40N60C2D1

    Mfr.#: IXGT40N60C2D1

    OMO.#: OMO-IXGT40N60C2D1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 75A 300W TO268
    IXGT4N250C

    Mfr.#: IXGT4N250C

    OMO.#: OMO-IXGT4N250C-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 2500V 13A 150W TO268
    IXGT40N120B2D1

    Mfr.#: IXGT40N120B2D1

    OMO.#: OMO-IXGT40N120B2D1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors 75 Amps 1200V 3.5 V Rds
    IXGT45N120

    Mfr.#: IXGT45N120

    OMO.#: OMO-IXGT45N120-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors 75 Amps 1200V 3.5 Rds
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    4000
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di IXGT45N120 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    30
    8,12 USD
    243,60 USD
    60
    7,41 USD
    444,60 USD
    120
    7,32 USD
    878,40 USD
    270
    6,67 USD
    1 800,90 USD
    510
    6,14 USD
    3 131,40 USD
    1020
    5,34 USD
    5 446,80 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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