VP0109N3-G P003

VP0109N3-G P003
Mfr. #:
VP0109N3-G P003
Produttore:
Microchip Technology
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
VP0109N3-G P003 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
VP0109N3-G P003 maggiori informazioni VP0109N3-G P003 Product Details
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Tecnologia a microchip
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Confezione
Bobina
Unità di peso
0.016000 oz
Stile di montaggio
Foro passante
Pacchetto-Custodia
TO-92-3
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 P-Channel
Pd-Power-Dissipazione
1 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
4 ns
Ora di alzarsi
3 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
- 250 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 90 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
15 Ohms
Polarità del transistor
Canale P
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
8 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
4 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
VP0109N3-GP00, VP0109N3-GP, VP0109N3-G, VP0109N3, VP0109N, VP0109, VP010, VP01, VP0
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
VP0109N3-G P003
DISTI # 689-VP0109N3-G-P003
Microchip Technology IncMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.6800
  • 10:$0.6200
  • 25:$0.5200
  • 100:$0.4700
  • 250:$0.4410
Immagine Parte # Descrizione
VP0109N3-G

Mfr.#: VP0109N3-G

OMO.#: OMO-VP0109N3-G

MOSFET 90V 8Ohm
VP0109N3-G P013

Mfr.#: VP0109N3-G P013

OMO.#: OMO-VP0109N3-G-P013

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VP0109N3

Mfr.#: VP0109N3

OMO.#: OMO-VP0109N3-1190

MOSFET 90V 8Ohm
VP0109N3-GP003

Mfr.#: VP0109N3-GP003

OMO.#: OMO-VP0109N3-GP003-1190

Nuovo e originale
VP0109N5

Mfr.#: VP0109N5

OMO.#: OMO-VP0109N5-1190

Nuovo e originale
VP0109N3-G

Mfr.#: VP0109N3-G

OMO.#: OMO-VP0109N3-G-MICROCHIP-TECHNOLOGY

IGBT Transistors MOSFET 90V 8Ohm
VP0109N3-G P014

Mfr.#: VP0109N3-G P014

OMO.#: OMO-VP0109N3-G-P014-317

RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VP0109N3-G P002

Mfr.#: VP0109N3-G P002

OMO.#: OMO-VP0109N3-G-P002-317

RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VP0109N3-G P003

Mfr.#: VP0109N3-G P003

OMO.#: OMO-VP0109N3-G-P003-317

RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VP0109N3-G P005

Mfr.#: VP0109N3-G P005

OMO.#: OMO-VP0109N3-G-P005-317

RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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10
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6,28 USD
100
0,60 USD
59,54 USD
500
0,56 USD
281,15 USD
1000
0,53 USD
529,20 USD
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