NTUD3127CT5G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-963-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3 mOhms, 5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.37 mm

Lunghezza:

1 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

350 mS, 260 mS

Tempo di caduta:

60 nS, 97 nS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

24 nS, 37 nS

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

90 nS, 112 nS

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 nS, 20 nS

Tags

NTUD312, NTUD3, NTUD, NTU