FDC3616N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SSOT-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

70 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

19 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Unità di peso:

0.000557 oz

Tags

FDC361, FDC36, FDC3, FDC