NTZD3155CT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

540 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

550 mOhms, 900 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTZD3155C

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

4 ns, 12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns, 12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns, 35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns, 10 ns

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

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