2SK2009TE85LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-346-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

2.5 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

2SK2009

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET a piccolo segnale RF

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

0.12 us

Tempo di ritardo di accensione tipico:

0.06 us

Unità di peso:

0.000423 oz

Tags

2SK2009T, 2SK2009, 2SK200, 2SK20, 2SK2, 2SK