STE139N65M5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ISOTOP-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

130 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

363 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

672 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

MDmesh

Serie:

STE139N65M5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

37 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

56 ns

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

MOSFET

Tags

STE13, STE1, STE