2N5179

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-72-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

2.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.4 V

Corrente massima del collettore CC:

0.05 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

2 GHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5179

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.84 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

5.84 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

50 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

25

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5179 PBFREE

Unità di peso:

0.011365 oz

Tags

2N5179, 2N517, 2N51, 2N5