2SA2125-TD-H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-243-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

290 mV

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

380 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SA2125

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

1.3 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

2SA2125, 2SA212, 2SA21, 2SA2, 2SA