STP17N62K3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

620 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

380 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

94 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

190 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Serie:

STP17N62K3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

SuperMESH3 Power MOSFET

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

1.6 S

Tempo di caduta:

63 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

91 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Unità di peso:

0.011640 oz

Tags

STP17N, STP17, STP1, STP