2N3467

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

175 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N3467

Altezza:

6.6 mm

Lunghezza:

9.4 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

0.45 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N3467 PBFREE

Unità di peso:

0.035486 oz

Tags

2N3467, 2N346, 2N34, 2N3