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DF23MR12W1M1B11BOMA1

DF23MR12W1M1B11BOMA1
Mfr. #:
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
Discrete Semiconductor Modules
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
Moduli a semiconduttore discreti
RoHS:
Y
Prodotto:
Moduli MOSFET di potenza
Tipo:
MOSFET di potenza SiC
Vf - Tensione diretta:
4 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
- 10 V, 20 V
Stile di montaggio:
Premi Fit
Pacchetto/custodia:
Easy1B-2
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Confezione:
Vassoio
Configurazione:
Dual
Marca:
Tecnologie Infineon
Polarità del transistor:
Canale N
Tempo di caduta:
13 ns
Id - Corrente di scarico continua:
25 A
Tensione di alimentazione operativa:
-
Pd - Dissipazione di potenza:
20 mW
Tipologia di prodotto:
Moduli a semiconduttore discreti
Rds On - Resistenza Drain-Source:
45 mOhms
Ora di alzarsi:
7.2 ns
Quantità confezione di fabbrica:
24
sottocategoria:
Moduli a semiconduttore discreti
Nome depositato:
CoolSIC
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
38.5 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
11.5 ns
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
1200 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
3.5 V
Parte # Alias:
DF23MR12W1M1_B11 SP001602244
Tags
DF23, DF2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***el Electronic
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0201 6.0pF 50volts C0G +/-0.5pF
***ure Electronics
N-Channel 1200 V 45 mOhm CoolSiC EasyPACK PressFIT/NTC Trench Mosfet Module
***ark
Mosfet Module, N-Ch, 1.2Kv, 30A; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; On Resistance Rds(On):0.045Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Rohs Compliant: Yes
***ineon
Easy 1B 1200 V / 23 m booster module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology | Summary of Features: High current density; Best in class switching and conduction losses; Low inductive design; Integrated NTC temperature sensor; PressFIT contact technology; RoHS-compliant modules | Benefits: Highest efficiency for reduced cooling effort; Higher frequency operation; Increased power density; Optimized customers development cycle time and cost | Target Applications: drives; solar; ups; battery-charger
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
DF23MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # V99:2348_18205128		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 22-Pin Tray10
  • 100:$81.4500
  • 25:$85.9400
  • 10:$89.0699
  • 5:$94.1700
  • 1:$96.8900
DF23MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # DF23MR12W1M1B11BOMA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE 1200V 25A
RoHS: Compliant
Min Qty: 24
Container: Tray		Limited Supply - Call
    DF23MR12W1M1B11BOMA1
    DISTI # 32135610    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 22-Pin Tray10
    • 1:$96.8900
    DF23MR12W1M1B11BOMA1
    DISTI # 33AC0629    		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 30A,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:30A,Drain Source Voltage Vds:1.2kV,On Resistance Rds(on):0.045ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-,Threshold Voltage Vgs:4.5V,Power RoHS Compliant: Yes0
    • 10:$91.0300
    • 5:$95.3200
    • 1:$97.1000
    DF23MR12W1M1B11BOMA1
    DISTI # 726-DF23MR12W1M1B11    		Infineon Technologies AGDiscrete Semiconductor Modules
    RoHS: Compliant    		24
    • 1:$97.1000
    • 5:$95.3200
    • 10:$91.0300
    • 25:$88.0000
    • 50:$87.9900
    DF23MR12W1M1B11BOMA1
    DISTI # 2778389    		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 30A
    RoHS: Compliant    		2
    • 1:£47.3900
    DF23MR12W1M1B11BOMA1
    DISTI # 2778389    		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 30A
    RoHS: Compliant    		2
    • 50:$134.2700
    • 10:$138.9000
    • 5:$143.8600
    • 1:$149.1900
    Immagine Parte # Descrizione
    DF23MR12W1M1B11BPSA1

    Mfr.#: DF23MR12W1M1B11BPSA1

    OMO.#: OMO-DF23MR12W1M1B11BPSA1

    		 Discrete Semiconductor Modules
    DF23MR12W1M1B11BOMA1

    Mfr.#: DF23MR12W1M1B11BOMA1

    OMO.#: OMO-DF23MR12W1M1B11BOMA1

    		 Discrete Semiconductor Modules
    DF23MR12W1M1B11BPSA1

    Mfr.#: DF23MR12W1M1B11BPSA1

    OMO.#: OMO-DF23MR12W1M1B11BPSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET MOD 1200V 25A
    DF23MR12W1M1B11BOMA1

    Mfr.#: DF23MR12W1M1B11BOMA1

    OMO.#: OMO-DF23MR12W1M1B11BOMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 22-Pin Tray
    Disponibilità
    Azione:
    24
    Su ordine:
    2007
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di DF23MR12W1M1B11BOMA1 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
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