D2012UK

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Elettronica TT

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

10 dB

Potenza di uscita:

10 W

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DP

Configurazione:

Separare

Altezza:

5.08 mm

Lunghezza:

18.92 mm

Frequenza operativa:

1 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

6.35 mm

Marca:

Semelab / TT Electronics

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V to 7 V

Tags

D2012, D201, D20